磁（cí）控濺射具（jù）有以下兩大優（yōu）點：提高等離（lí）子（zǐ）密度，從而提高濺射速度；減少轟擊零件（jiàn）的電子數目，因而降低了基材因電子轟擊（jī）的升（shēng）溫。

因此，該技術在薄膜技術中占有主導地位。磁控濺射陰極的最大缺點：使用平麵靶材，靶（bǎ）材在跑道區形（xíng）成濺射溝道，這溝道一旦貫（guàn）穿（chuān）靶材，則整塊靶材即報廢，因而靶材的利用率隻有20-30%。

不過，目前為了避（bì）免這（zhè）個缺點，很多靶（bǎ）材采用圓柱（zhù）靶（bǎ）材形（xíng）式，靶材利（lì）用率得（dé）以大（dà）幅度提高。