偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加在（zài）基體上的負電（diàn）壓。偏壓電源的正極接到真空室上，同時真空室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大（dà）地的電壓（yā）一般認為是零電位，所以工（gōng）件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基片上吸附的氣體和（hé）油汙等，有利於提高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧離子鍍（dù）（Arc Ion Plating)中的大（dà）顆粒有淨化作用；

偏壓的分類
根據波形可（kě）分為：
直流偏壓
直流脈衝偏壓（yā）
直流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏（piān）壓

直流偏壓和脈衝偏壓的比較

傳（chuán）統（tǒng）的電弧離子（zǐ）鍍是在基片（piàn）台上施（shī）加直流（liú）負偏壓控製離子轟擊能量, 這種（zhǒng）沉積工藝（yì）存在以（yǐ）下缺（quē）點:
        基（jī）體溫升（shēng）高, 不（bú）利（lì）於（yú）在回火（huǒ）溫度低的基體上沉積硬質膜（mó）。
        高能離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能簡單通過提高（gāo）離子轟擊能量（liàng）合成高反應閾能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝中,為了抑（yì）製因離子對基體表麵連續轟擊而導致的（de）基體溫度過高,主要采取減少沉積（jī）功率、縮短沉積時間、采用間歇沉積方式等措施來（lái）降低沉積（jī）溫度，這些（xiē）措施（shī）可以概括地（dì）稱為能量控製（zhì）法'這種方法雖然可以降低沉積溫度,但（dàn）也使薄膜的某些（xiē）性能下降,同時（shí）還降低了生產效率和（hé）薄膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈衝偏（piān）壓電弧離（lí）子鍍工藝（yì）中,由於離子是以非連續的脈衝方式轟（hōng）擊基體（tǐ）表麵,所以通過調節脈衝偏壓的占空比,可改變（biàn）基體內部與表麵（miàn）之間的溫度梯度,進而（ér）改變基體內部與表麵之間熱的均衡補償（cháng）效果,達到（dào）調控沉積溫度的（de）目的。這樣就可以把施加偏（piān）壓的脈衝高度與工件溫（wēn）度獨立分開(互不影響或影響很（hěn）小（xiǎo）)調節,利用高壓脈衝來獲得高能離子的轟擊效應以改善薄膜的組織和性能,通過降低占空比來減小離子轟擊的總加熱效應以降低沉積溫度。

偏壓對膜層的（de）影響

偏壓對膜層（céng）的（de）影響機製是很複雜的，下麵列出了一些主要影響，可以根據自己的（de）使用工藝，觀察（chá）總結，就可以（yǐ）很快摸（mō）清偏壓對膜層的影響規律。
        膜層結構、結（jié）晶構（gòu）造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒（lì）淨化
        膜層（céng）硬（yìng）度
        膜層致（zhì）密度（dù）
        表麵形貌
        內應力

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