真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板於真空室內，采用一定（dìng）方法加（jiā）熱（rè）待（dài）鍍材料，使之蒸發（fā）或升華（huá），並飛行濺射（shè）到被鍍基板表麵凝（níng）聚成（chéng）膜的工藝（yì）。
    在真空條件（jiàn）下成膜有很多（duō）優點：可減少蒸（zhēng）發材料的原子、分子在飛向基板過（guò）程中於（yú）分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反（fǎn）應（yīng）（如氧化等），以及減少（shǎo）成（chéng）膜過程中氣體分子進入薄膜中（zhōng）成為雜（zá）質的量，從而提供膜層的致（zhì）密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真（zhēn）空蒸鍍要求成膜室內壓力等於或低於10-2Pa，對於蒸發源與基板距離較遠和薄膜（mó）質（zhì）量要（yào）求很高的場合，則要求（qiú）壓力更（gèng）低。
    主要分為一下幾類：
    蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子（zǐ）鍍。
    蒸發（fā）鍍膜：通過加熱（rè）蒸（zhēng）發某種物（wù）質使其沉積在固體表麵，稱為（wéi）蒸發鍍膜。這種方法最（zuì）早由M.法拉第於1857年提出（chū），現代已成（chéng）為常用鍍膜技術之一。
    蒸發物質如（rú）金屬、化合物等置於坩堝內或（huò）掛在熱（rè）絲（sī）上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料（liào）等基片置於坩堝前方。待係（xì）統抽至高真空後，加熱坩堝使（shǐ）其中的物（wù）質蒸發。蒸發物質（zhì）的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表麵。薄膜厚度可由數百埃至數（shù）微米。膜厚（hòu）決定於蒸發源的蒸發速率和時（shí）間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關（guān）。對（duì）於大（dà）麵積鍍膜，常（cháng）采用旋轉基片或多蒸發源的（de）方式以保證（zhèng）膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應（yīng）小於蒸氣分子在殘餘（yú）氣體中的平均自（zì）由程，以免蒸氣分子與（yǔ）殘氣（qì）分子碰（pèng）撞引（yǐn）起化學作用（yòng）。蒸氣分子平均動能（néng）約為0.1～0.2電子伏。
    蒸發源有三種類型。①電阻（zǔ）加熱源：用（yòng）難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置（zhì）於坩（gān）堝中的蒸發物質（圖1[蒸發（fā）鍍膜設備示意圖]）電阻加熱（rè）源主（zhǔ）要用於蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高（gāo）頻感應加熱源：用高頻感應電流（liú）加（jiā）熱坩堝和蒸發物質。③電子束（shù）加熱源：適用於蒸發（fā）溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料（liào），即用電子束轟擊（jī）材料使其蒸發（fā）。
   蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積（jī）速率，可鍍製單質和不易熱分解的化合物膜（mó）。
   為沉積高純單晶膜（mó）層，可采用分子（zǐ）束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的（de）分子束外延裝置如（rú）圖2[ 分（fèn）子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高（gāo）真空下（xià）當它被加熱到一定溫度時，爐中羞羞视频_羞羞漫画_羞羞视频在线观看_羞羞漫画在线观看_羞羞漫画SSS_羞羞色漫_羞羞网站_羞羞漫画在线_羞羞小视频_羞羞影院_羞羞漫画免费观看_羞羞漫画官网素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格（gé）次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比（bǐ）的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長速度可控製在1單層／秒。通（tōng）過控製擋（dǎng）板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光（guāng）集成器件（jiàn）和各種超晶格結構薄膜。
   濺射鍍膜：用高能粒子轟（hōng）擊（jī）固體表麵時能使固體表麵的（de）粒子獲（huò）得能（néng）量並逸出表麵（miàn），沉積在基片上。濺射現象於1870年開（kāi）始用於鍍膜技術，1930年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。常用的二極濺射設備如圖3[ 二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材（cái）料製成板材（cái）——靶,固定（dìng）在陰極上。基片置（zhì）於正對靶（bǎ）麵的（de）陽（yáng）極上,距靶幾厘米。係統抽至高真（zhēn）空後充入 10-1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽極間加幾（jǐ）千伏電壓，兩極間即產生輝光（guāng）放電。放（fàng）電產生的正離子在（zài）電場作用下飛向陰極，與靶（bǎ）表麵原子碰撞，受碰撞從靶麵逸出的靶原子（zǐ）稱為濺射原子,其能量（liàng）在1至幾十電子伏（fú）範圍。濺（jiàn）射原子在基片表麵沉積成膜（mó）。與蒸發鍍膜不同（tóng），濺射鍍膜不受膜材熔點的限製,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物（wù）質。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將（jiāng）反應氣（qì）體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體及其離（lí）子與靶原子（zǐ）或濺射（shè）原（yuán）子發生反應生成化合物（如氧化物、氮（dàn）化物等）而沉積在基片上。沉積絕（jué）緣膜可采用高頻濺射法。基片裝（zhuāng）在接地的電極（jí）上，絕緣靶裝在對麵的電極上。高頻（pín）電（diàn）源一端接地，一端通過匹配（pèi）網絡和隔（gé）直流電（diàn）容接到裝有絕緣靶的電（diàn）極上。接通高（gāo）頻電源後，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半（bàn）周分別打到絕緣（yuán）靶（bǎ）上。由於電子遷移率高於正離子，絕（jué）緣靶表麵帶負（fù）電，在達到（dào）動態平衡時，靶處於負的偏置電位，從而使正（zhèng）離子對靶的濺射（shè）持續進行。采用磁控濺（jiàn）射可使沉積（jī）速率比非磁控濺射提高近一（yī）個數量級（jí）。
   離子鍍：蒸發物質的分子被電子（zǐ）碰撞電離後以離（lí）子沉積在固體表（biǎo）麵，稱為（wéi）離子（zǐ）鍍。這種技術是D.麥托克斯於（yú）1963年提出的。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離（lí）子鍍係統如圖4[離子（zǐ）鍍係統示意圖],將基片台作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如氬）以產生（shēng）輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。正離子被基片台負電壓加（jiā）速打到（dào）基片（piàn）表麵。未電離的中（zhōng）性原子（約占蒸發料的（de）95％）也沉積在基片或真空室壁表麵。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾（jǐ）百～幾千（qiān）電子伏（fú））和（hé）氬（yà）離子（zǐ）對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強度大大提高（gāo）。離子（zǐ）鍍工藝綜合（hé）了蒸發（高（gāo）沉積（jī）速（sù）率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，並有很好（hǎo）的繞射性，可為形狀（zhuàng）複（fù）雜的工件鍍（dù）膜。

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