物理氣相沉積介紹之真空卷繞鍍膜技術：
        真空卷繞鍍膜(卷對卷)是在真空下（xià）應用不同方法在柔性基體上實現連續鍍（dù）膜的一（yī）種技術。它涵蓋真空獲得、機電控製、高（gāo）精（jīng）傳動和表麵分析等多方麵內（nèi）容。其重點是，在保證鍍膜質量前提下提高卷繞速率（lǜ）、控製鍍膜穩定性及實施在線監控。卷對卷技術（shù）成本低、易操作（zuò）、與柔性（xìng）基底相容、生產率高及可連（lián）續鍍多（duō）層膜等優點（diǎn）。第一台真空蒸發卷（juàn）繞鍍膜機1935年製成，現可鍍幅寬由（yóu）500至2500mm。卷（juàn）對卷技術應用由包（bāo）裝和裝（zhuāng）飾用膜，近年逐漸擴大至激（jī）光防偽膜、導電等功能薄膜方麵，是未來柔性電子等（děng）行業的主流技術之一。
        真空卷（juàn）繞鍍（dù）膜係統按結（jié）構可分為單室、雙室和多室真空卷繞（rào）係統，後兩者可解決開卷放氣問（wèn）題並分別控製卷繞和鍍膜室各自真空度（dù）。卷（juàn）繞張力控製分錐度、間（jiān）接和直接控製模（mó）型，錐度控製模型可解決薄（báo）膜褶皺和徑向力分布不均的問題；間接（jiē）張力控製無需傳感器（qì），可用內置張力控（kòng）製模塊的矢量變頻器代替；直接張力控製通過張力傳感器精確測量張力（lì）值，但需慣性矩和角速度等多種參數。真空卷繞鍍膜主要有真空蒸發、磁控濺（jiàn）射等方式，可用於製備新型高折射率薄膜（mó）、石墨烯等納米材（cái）料和柔性太陽能電池（chí）等半導體器件。針對真空卷繞鍍膜技術研究現（xiàn）狀及向產業化過渡存在的問題，最後作（zuò）了簡要分析與展望。
        真空卷對卷設備由抽真空、卷繞、鍍（dù）膜和電氣控製等係統組成。真空卷繞鍍膜（mó）設備根據真空室有無（wú）擋板，可分單室、雙室和多室結構。單室（shì）的收放卷輥和鍍膜輥在同一室中（zhōng），結構簡單但開卷時（shí）放氣（qì）會汙染（rǎn）真空環境。雙室結構將係統用擋板隔成卷繞和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免了類似開卷（juàn）放（fàng）氣（qì）問（wèn）題。多室（shì）常用於製備複合薄膜，在雙室基礎上將相鄰鍍膜區用擋板隔開（kāi）避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋板固定於兩磁控濺射靶間，板兩側塗覆（fù）50μm的銅層。分隔擋板與真空（kōng）室壁狹縫越小越好。據鍍膜時輥（gǔn）筒作用分為（wéi）單（dān）主輥和多（duō）主輥（gǔn）卷（juàn）繞鍍膜機。據電機個（gè）數，則可分為兩電機、三（sān）電機和四電機驅動係統。

下（xià）一個：真空鍍膜機所以在後掩蔽和清洗輥速度不太快