電子在電場的作用下加速飛向基片的過程（chéng）中與氬原（yuán）子（zǐ）發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子（zǐ）,電子飛向基片.氬離子在電場的作用下加速轟擊靶（bǎ）材,濺射出大（dà）量的靶（bǎ）材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積（jī）在（zài）基片上成膜.二次電子在加速飛（fēi）向基片的過（guò）程中受到磁場（chǎng）洛侖磁力的影響,被束縛在（zài）*近靶麵（miàn）的等離子體（tǐ）區（qū）域內（nèi）,該區域內（nèi）等離子體密度很高,二（èr）次電子在磁（cí）場（chǎng）的作用下圍繞（rào）靶麵作圓周運動,該電子的運動路徑很長,在運動過程中（zhōng）不（bú）斷的與氬原子發（fā）生（shēng）碰撞電離出大（dà）量的氬離子轟擊靶材,經過多次（cì）碰撞後電子的能（néng）量（liàng）逐（zhú）漸降低,擺脫（tuō）磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上.

        磁控濺射就是以磁場束縛和延（yán）長電子的運動路徑（jìng）,改（gǎi）變電子的運動方向（xiàng）,提（tí）高（gāo）工作氣體的電離率（lǜ）和有效利用電子的能量（liàng）.

       電子的歸宿不僅僅是基片,真空室（shì）內壁及（jí）靶（bǎ）源陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽（yáng）極在同一電勢.磁場與電場的交互作用（E X B shift）使單（dān）個電（diàn）子軌（guǐ）跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於靶麵圓（yuán）周（zhōu）型的濺射輪廓,那是靶源磁（cí）場磁（cí）力線呈（chéng）圓周（zhōu）形狀形狀.磁力線分布方（fāng）向不同會對成膜有（yǒu）很大關係.

       在（zài）E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離（lí）子源,等離子源等都在（zài）次原理下工作.所不同的是電場方向,電壓電流（liú）大小而已.